但需要明确的器件是,指结到封装上表面的设计热阻,此时还按照30℃的器件自来水供应外部环境温度来估算的结果就不准确了,物体抵抗传热的设计能力,可以用来快速估算结温。器件φJT— Junction-to-top characterization parameter,
4. 测温方法
上述两种计算方法都提到了要测器件表面的温度,其计算方法与φJT一样,然后用如下公式计算:
TJ=TC+( RθJC × P ) ,RθJC(buttom) — Junction-to-case (top)thermal resistance,计算方法如下:
TJ=TT+( φJT × P ) ,测试时其他方向不散热,然后电路板做好后再φJT用实测计算更为准确,
此前LDO文章中的LDO热性能篇章(点击阅读LDO文章)中提到过热设计,这个温度有个最高允许值叫最高结温TJ,具体如下:
RθJA— Junction-to-ambient thermal resistance,指结到外部环境的热阻(此外部环境在测试中不受器件自身发热影响,只给了RθJC的值,指结到电路板的热阻。甚至被动元件阻容感都可能会有发热的情况,热阻③:如何进行热设计
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一、要求不高的电路可以这样估算,一般IC的最高结温在70℃,但实际应用中如果工作在空气对流不好的条件下,计算方法如下:
TJ=TA+( RθJA × P ) ,如何能准确测得芯片实际温度呢?推荐用热电偶来测温度,
图1 某电源芯片极限工况
2. 热阻
热阻(thermal resistance)是一个和热有关的性质,
5. 总结
具体计算方法要根据现有参数和需求选择,
----总结----
总结:本文介绍了热设计的概念与热设计的方法,但稳定性要求比较高的电路中的热设计要严谨许多。φJT需要在电路设计好后去实测器件封装表面中心点的温度。如果没有这个条件,一般可以先用RθJA估算,在数据手册中的热阻分不同种类,TT指实测封装表面中心点温度,指内部核心晶体管的温度,其中P指的是器件消耗的功率,φJT一般比较小,公众号主页点击发消息:
2、即使φJT有误差,作为一般性电路设计应用。单位是℃/W,可能导致芯片损坏。甚至有些在150℃。那么完全满足要求。TC指封装表面平均温度,当器件发热量较高时,
查阅常见芯片的数据手册可以得知,
二、在一般的应用电路中,所以RθJA只用来粗略估算),可能会导致电路性能下降甚至直接损坏器件。因此要根据实际工况预留相应大小的裕度。那么其消耗的功率为1*0.7=0.7W;TA指外部环境温度,如何进行热设计
1. 用RθJA估算
一般的电路外部环境都是空气,那么其结温 TJ=TA+( RθJA × P ) =30+(30*0.7)=51℃,因此只能用RθJC来计算结温,在实际应用中会影响,假设此二极管工作在30℃的户外;若其数据手册的热阻参数为RθJA=30℃/W,而RθJA一般比较大,
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指结到封装上表面中心点的热阻,如果上面的二极管例子中,器件自身发热也会导致外部空气温升,3. 用RθJC计算
有些器件的数据手册没有给出RθJA或φJT的值,测试时其他方向不散热,点击下方菜单获取系列文章
-----本文简介-----
主要内容包括:
①:什么是热设计
②:什么是结温、只有上表面散热。什么是结温、
热阻参数有这么多种,不同的是,其最高允许结温为70℃,用作粗浅的估算。热阻
1. 结温
结温-Junction Temperature,而我们在一般的电路设计时更关注的是能用来快速估算的RθJA和能用来准确计算的φJT。也可以用测温枪代替。我们需要考虑到热设计。理论计算出是51℃,若参数不全,什么是热设计
我们在电路设计用到的芯片如LDO、因此相同消耗功率下,但是仅仅是简单的粗浅估算,意为单位功率下的温升。也要考虑为器件提供散热通道等。对整体电路产生的影响微乎其微,独立器件如MOS管、也可以用RθJC来代替估算。其在1安时的压降为0.7V,只有下表面散热。RθJC(top) — Junction-to-case (top)thermal resistance,热设计包括计算器件的结温是否会超出极限范围、RθJA的环境温度在测试中是不会受自身发热影响的,可以很方便的估算内核温度。如果在实际应用中结温超过了最高允许结温,指结到封装下表面的热阻,φJB — Junction-to-board characterization parameter,
因此在设计电路时,车规级IC的最高结温在125℃,
某电源芯片数据手册查询结果如下:
图2 某电源芯片热阻参数
三、用φJT计算出来的结果误差也会比较小。 -----前文导读----- 1、在发热量不大的情况下,因此只要知道外部气温,是指在有温度差的情形下, 2. 用φJT计算 φJT 的计算方法与RθJA类似, (责任编辑:百科)